ไมโครชิพ รุกตลาดโครงสร้างพื้นฐานหน่วยความจำ

[iqpressrelease]

          SMC 1000 8x25G รองรับแบนด์วิดท์หน่วยความจำสูง ซึ่งตอบโจทย์ CPU และ SoC รุ่นใหม่ ๆ ที่จำเป็นต้องใช้แบนด์วิดท์ที่สูงขึ้นเพื่อการประมวลผล AI และแมชชีนเลิร์นนิ่ง

          ปัจจุบัน ความต้องการคำนวณปริมาณงานของเทคโนโลยีปัญญาประดิษฐ์ (AI) และแมชชีนเลิร์นนิ่ง (Machine Learning) กำลังเพิ่มสูงขึ้นอย่างรวดเร็ว อย่างไรก็ดี หน่วยความจำ DRAM ที่ติดตั้งวงจรขนานแบบดั้งเดิม กลับกลายมาเป็นอุปสรรคสำคัญในการทำงานของ CPU รุ่นใหม่ ๆ ที่ต้องอาศัยช่องบรรจุหน่วยความจำเพิ่มขึ้นเพื่อการส่งมอบแบนด์วิดท์หน่วยความจำปริมาณมากขึ้น วันนี้ บริษัท ไมโครชิพ เทคโนโลยี จำกัด (Nasdaq: MCHP) จึงขอประกาศขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ศูนย์ข้อมูล พร้อมส่งตัวควบคุมหน่วยความจำแบบอนุกรม (serial memory controller) เชิงพาณิชย์ตัวแรกของอุตสาหกรรมเข้ารุกตลาดโครงสร้างพื้นฐานหน่วยความจำ โดยผลิตภัณฑ์ SMC 1000 8x25G จะช่วยให้ CPU และอุปกรณ์ SoC ที่ต้องอาศัยการคำนวณเป็นหลัก สามารถใช้งานช่องบรรจุหน่วยความจำ DDR4 DRAM ที่ต่อวงจรแบบขนานได้เพิ่มขึ้นถึงสี่เท่าภายในแพคเกจเดียวกัน ซึ่งตัวควบคุมหน่วยความจำแบบอนุกรมนี้จะมอบแบนด์วิดท์หน่วยความจำที่สูงขึ้น ด้วยความหน่วงที่ต่ำมาก อีกทั้งยังเป็นอิสระจากตัวกลางต่าง ๆ ที่ต้องอาศัยการคำนวณในระดับสูง

          ด้วยเหตุที่แกนประมวลผล (processing core) ภายใน CPU มีจำนวนเพิ่มมากขึ้น ทำให้แกนประมวลผลแต่ละแกนได้แบนด์วิดท์ลดลง เพราะต้องเฉลี่ยการใช้แบนด์วิดท์ อีกทั้งอุปกรณ์ CPU รวมถึง SoC ก็ไม่สามารถเพิ่มจำนวนอินเทอร์เฟซ DDR แบบขนานที่อยู่บนชิปตัวเดียวเพื่อรองรับจำนวนแกนที่เพิ่มขึ้นได้ อย่างไรก็ดี ผลิตภัณฑ์ SMC 1000 8x25G สามารถขจัดอุปสรรคดังกล่าว ด้วยการต่อประสานกับ CPU ผ่านเส้นทางการเชื่อมต่อความเร็ว 25 Gbps ตามมาตรฐาน Open Memory Interface (OMI) ขนาด 8 บิต และเชื่อมเข้ากับหน่วยความจำผ่านอินเทอร์เฟซ DDR4 3200 ขนาด 72 บิต ผลก็คือ สามารถลดจำนวนพินของโฮสต์ CPU หรือ SoC ต่อช่องบรรจุหน่วยความจำ DDR4 ลงได้เป็นอย่างมาก ทำให้สามารถเพิ่มจำนวนช่องบรรจุหน่วยความจำ ตลอดจนได้แบนด์วิดท์หน่วยความจำที่สูงขึ้น

          นอกจากนี้ CPU หรือ SoC ที่รองรับ OMI ยังสามารถทำงานร่วมกับตัวกลางหลากหลายประเภทโดยมีตัวชี้วัดประสิทธิภาพ พลังงาน และต้นทุนค่าใช้จ่ายที่แตกต่างกันไป ขณะที่ไม่จำเป็นต้องแยกใช้ตัวควบคุมหน่วยความจำสำหรับตัวกลางแต่ละประเภท อย่างไรก็ตาม ปัจจุบัน อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ CPU และ SoC ถูกจำกัดสำหรับใช้งานกับโปรโตคอลอินเทอร์เฟซ DDR แบบเฉพาะเจาะจง อย่างเช่น DDR4 ทั้งนี้ SMC 1000 8x25G ถือเป็นผลิตภัณฑ์โครงสร้างพื้นฐานหน่วยความจำตัวแรกของไมโครชิพที่ช่วยให้สามารถใช้งานอินเทอร์เฟซ OMI ได้อย่างเป็นอิสระจากตัวกลาง

          การทำงานของศูนย์ข้อมูลจำเป็นต้องอาศัยผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ OMI-based DDIMM เพื่อส่งมอบแบนด์วิดท์ที่มีประสิทธิภาพสูงและความหน่วงต่ำ แบบเดียวกับที่ได้จากผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ DDR แบบขนานที่ใช้กันอยู่ในปัจจุบัน ทั้งนี้ SMC 1000 8x25G ของไมโครชิพโดดเด่นด้วยการออกแบบที่ก้าวล้ำเพื่อให้มีความหน่วงต่ำ โดยมีความหน่วงเพิ่มขึ้นน้อยกว่า 4 ns เมื่อส่งผ่านคอนโทรลเลอร์ DDR ที่ผนวกรวมกับ LRDIMM ทำให้ผลิตภัณฑ์ OMI-based DDIMM มีประสิทธิภาพแบนด์วิดท์และความหน่วงเทียบเคียงได้กับผลิตภัณฑ์ LRDIMM

          "ไมโครชิพยินดีเป็นอย่างยิ่งที่ได้เปิดตัวผลิตภัณฑ์ตัวควบคุมหน่วยความจำแบบอนุกรมตัวแรกของวงการ" พีท เฮเซน รองประธานธุรกิจโซลูชั่นศูนย์ข้อมูลของไมโครชิพ กล่าว "เทคโนโลยีอินเทอร์เฟซหน่วยความจำแบบใหม่ ๆ เช่น Open Memory Interface (OMI) นั้น ช่วยให้สามารถใช้งาน SoC ได้หลากหลายรูปแบบ เพื่อรองรับความต้องการหน่วยความจำที่เพิ่มขึ้นของศูนย์ข้อมูลประสิทธิภาพสูง การเข้าสู่ตลาดโครงสร้างพื้นฐานหน่วยความจำของไมโครชิพเป็นการเน้นย้ำให้เห็นถึงความมุ่งมั่นของเราที่มีต่อการเพิ่มสมรรถนะและประสิทธิภาพในศูนย์ข้อมูล"

          "ด้วยปริมาณงานของลูกค้า ทำให้ IBM ต้องใช้หน่วยความจำเพิ่มขึ้นต่อเนื่อง และนี่คือสาเหตุที่เราตัดสินใจให้ระบบประมวลผล POWER ของเราใช้อินเทอร์เฟซมาตรฐาน OMI เพื่อเพิ่มแบนด์วิดท์หน่วยความจำ" สตีฟ ฟีลด์ส หัวหน้าสถาปนิกของ IBM Power Systems กล่าว "IBM ยินดีที่ได้เป็นพันธมิตรกับไมโครชิพเพื่อนำเสนอโซลูชั่นนี้"

          SMART Modular, Micron และ Samsung Electronics อยู่ระหว่างการสร้าง Differential Dual-Inline Memory Modules (DDIMM) ขนาด 84 พินที่มีประสิทธิภาพ โดยมีความจุตั้งแต่ 16 GB ถึง 256 GB ซึ่งสามารถเข้ากันได้กับฟอร์มแฟคเตอร์ DDIMM มาตรฐาน JEDEC DDR5 โดย DDIMM เหล่านี้จะใช้ SMC 1000 8x25G และจะเชื่อมต่อเข้าในอินเทอร์เฟซ 25 Gbps มาตรฐาน OMI ได้อย่างไร้รอยต่อ