CXMT เตรียมเปิดตัว DDR5 Server Memory สถาปัตยกรรม 4F² ภายในสิ้นปี 2026 อาจนำหน้า Samsung สองปี
ChangXin Memory Technologies (CXMT) ผู้ผลิตหน่วยความจำจากจีน กำลังเตรียมเปิดตัวหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ DDR5 RDIMM ที่พัฒนาบนสถาปัตยกรรม DRAM แบบ 4F² ภายในสิ้นปี 2026 ตามข้อมูลจาก Cao Kanyu ประธานบริษัท ซึ่งเปิดเผยในงาน Integrated Chip and Chiplet Conference ครั้งที่ 4 ที่จัดขึ้นในเซี่ยงไฮ้
หากสามารถเปิดตัวได้ตามกำหนด CXMT อาจกลายเป็นผู้ผลิตที่นำสถาปัตยกรรม 4F² มาใช้กับผลิตภัณฑ์หน่วยความจำได้ก่อน Samsung ประมาณสองปี โดยรายงานระบุว่า Samsung ยังไม่น่าจะเริ่มผลิตผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ 4F² จนถึงปี 2028
สถาปัตยกรรม 4F² กับการเพิ่มความหนาแน่นของ DRAM
สถาปัตยกรรม 4F² ถือเป็นการเปลี่ยนแปลงจากแนวทาง DRAM ที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในปัจจุบัน ซึ่งส่วนใหญ่ใช้โครงสร้างแบบ 6F² โดยเซลล์หน่วยความจำแต่ละเซลล์ประกอบด้วยทรานซิสเตอร์หนึ่งตัวและตัวเก็บประจุหนึ่งตัว ตัวเลข F² ใช้สื่อถึงพื้นที่เชิงเรขาคณิตของเซลล์หน่วยความจำเมื่อเทียบกับขนาดคุณลักษณะพื้นฐาน F โดยโครงสร้าง 6F² ใช้พื้นที่ต่อเซลล์ตามแบบจำลองดังกล่าว ขณะที่ 4F² มีพื้นที่เชิงเรขาคณิตน้อยกว่า จึงมีศักยภาพในการเพิ่มความหนาแน่นของเซลล์หน่วยความจำ อย่างไรก็ตาม ประโยชน์ที่เกิดขึ้นจริงยังขึ้นอยู่กับรายละเอียดการออกแบบ กระบวนการผลิต และข้อจำกัดทางวิศวกรรมของชิปแต่ละรุ่น จับตาการแข่งขันในตลาดหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ การเตรียมเปิดตัว DDR5 RDIMM บนสถาปัตยกรรม 4F² แสดงให้เห็นถึงความพยายามของ CXMT ในการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำสำหรับตลาดเซิร์ฟเวอร์ หากบริษัทสามารถนำผลิตภัณฑ์ออกสู่ตลาดได้ตามแผน ก็อาจสร้างความเปลี่ยนแปลงให้กับการแข่งขันด้านเทคโนโลยี DRAM ถึงกระนั้น กำหนดการภายในสิ้นปี 2026 ยังเป็นแผนที่ต้องติดตามว่าจะดำเนินการได้ตามที่ประกาศหรือไม่ รวมถึงต้องรอดูความพร้อมด้านการผลิตและการนำเทคโนโลยีไปใช้ในผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์
