CXMT เร่งเปลี่ยนกระบวนการผลิต เตรียมชิงโอกาสในตลาด DDR6 ก่อน Samsung และ SK hynix
ผู้ผลิตหน่วยความจำจากจีน CXMT (ChangXin Memory Technologies) กำลังเดินหน้าปรับโครงสร้างการผลิตครั้งใหญ่ เพื่อเตรียมเข้าสู่ยุค DDR6 ซึ่งคาดว่าจะเริ่มวางจำหน่ายเชิงพาณิชย์ในช่วงปี 2028–2029 รายงานจาก ETNews ระบุว่า CXMT ได้เพิ่ม Haesung DS ผู้ผลิตแผ่นรองแพ็กเกจ (Package Substrate) เข้าสู่ห่วงโซ่อุปทาน โดยบริษัทสามารถผ่านการรับรองคุณภาพสำหรับแพ็กเกจ DDR5 ได้แล้วตั้งแต่ไตรมาสแรกของปี 2026 ความเปลี่ยนแปลงสำคัญคือการเตรียมนำ Panel-Based Process มาใช้แทนกระบวนการ Reel-to-Reel ที่ใช้กับ DDR4 และ DDR5 เนื่องจาก DDR6 จะใช้โครงสร้างหลายชั้น (Multi-layer) ที่ซับซ้อนกว่าเดิม การผลิตแบบใหม่จึงช่วยรักษาประสิทธิภาพและอัตราผลผลิต (Yield) ได้ดีกว่าเมื่อจำนวนเลเยอร์ของวงจรเพิ่มขึ้น ปัจจุบัน Samsung และ SK hynix ต่างอยู่ระหว่างการพัฒนา DDR6 เช่นกัน แต่ CXMT กำลังได้รับความสนใจมากขึ้นจากผู้ผลิตพีซีและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ท่ามกลางภาวะขาดแคลน DRAM ทั่วโลก ส่งผลให้บริษัทมีบทบาทสำคัญในการกระจายความเสี่ยงด้านซัพพลายเชน นอกจากนี้ ยังมีรายงานก่อนหน้านี้ว่า Apple กำลังทดสอบชิปหน่วยความจำของ CXMT ซึ่งอาจเป็นอีกแรงผลักดันให้ผู้ผลิตจีนเร่งพัฒนา DDR6 เพื่อแข่งขันในตลาดโลก แม้ขณะนี้ยังไม่มีการเปิดเผยกำหนดการผลิตจำนวนมากอย่างเป็นทางการก็ตาม ที่มา: ETNews
