DDR6 เริ่มพัฒนาแล้ว! เตรียมแรงก้าวกระโดด

ผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ของโลก ได้แก่ Samsung, SK hynix และ Micron ได้เริ่มต้นพัฒนาเทคโนโลยี DDR6 อย่างเป็นทางการ แม้ว่ามาตรฐานจาก JEDEC จะยังไม่เสร็จสมบูรณ์ก็ตาม

รายงานจาก The Elec ระบุว่า ผู้ผลิตได้เริ่มประสานงานกับซัพพลายเออร์เพื่อเตรียมการออกแบบเบื้องต้นแล้ว โดยข้อมูลที่ใช้งานยังเป็นเพียงบางส่วน เช่น โครงสร้าง substrate ความหนาของชิป และการจัดวางวงจร

เป้าหมายหลักในช่วงนี้คือการสร้างตัวอย่างทดสอบ (test samples) เพื่อเตรียมความพร้อมก่อนเข้าสู่การผลิตจริงในอนาคต DDR6 ถูกคาดว่าจะมาพร้อมกับการเพิ่มขึ้นของความเร็วอย่างก้าวกระโดด โดยอาจทำความเร็วได้สูงสุดถึง 17.6 Gbps ซึ่งสูงกว่า DDR5 เกือบ 2 เท่า

ในแผนระยะยาว หน่วยความจำ DDR6 เชิงพาณิชย์คาดว่าจะเริ่มเปิดตัวในช่วงปี 2028 ถึง 2029 อย่างไรก็ตาม ปัจจัยด้านราคายังคงเป็นประเด็นสำคัญ เนื่องจาก DDR5 ในช่วงเปิดตัวมีราคาสูง ก่อนจะค่อย ๆ ปรับลงในภายหลัง

ปัจจุบัน ราคาหน่วยความจำกลับมามีแนวโน้มเพิ่มขึ้นอีกครั้ง จากความต้องการที่สูงขึ้นของเทคโนโลยี AI ซึ่งสร้างแรงกดดันต่อซัพพลาย DRAM จึงยังต้องติดตามว่า DDR6 จะสามารถเปิดตัวด้วยราคาที่เข้าถึงได้มากขึ้น หรือจะเผชิญสถานการณ์เดียวกับ DDR5 ในช่วงแรก

ที่มา: The Elec