Samsung ทะลุข้อจำกัด DRAM ต่ำกว่า 10nm สำเร็จ

Samsung สร้างความก้าวหน้าครั้งสำคัญในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ ด้วยการพัฒนา DRAM ที่ใช้เทคโนโลยีระดับต่ำกว่า 10 นาโนเมตรเป็นครั้งแรกของโลก หรือที่เรียกว่า “Sub-10nm DRAM” ภายใต้กระบวนการผลิตใหม่ 10a

เทคโนโลยีใหม่นี้มาพร้อมโครงสร้างเซลล์แบบ “4F Square Cell” และกระบวนการ Vertical Channel Transistor (VCT) ซึ่งเป็นกุญแจสำคัญที่ช่วยให้สามารถลดขนาดลงสู่ระดับประมาณ 9.5–9.7nm ได้สำเร็จ

เมื่อเทียบกับโครงสร้างเดิมแบบ 6F (3Fx2F) ที่ใช้ใน DRAM ปัจจุบัน การเปลี่ยนมาใช้ 4F (2Fx2F) จะช่วยเพิ่มความหนาแน่นของเซลล์หน่วยความจำได้ถึง 30–50% ส่งผลให้สามารถบรรจุข้อมูลได้มากขึ้นในพื้นที่เท่าเดิม และยังช่วยลดการใช้พลังงานลง นอกจากนี้ Samsung ยังนำวัสดุใหม่อย่าง IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) มาใช้แทน Silicon ซึ่งช่วยลดการรั่วไหลของกระแสไฟในเซลล์ขนาดเล็ก และเพิ่มประสิทธิภาพในการเก็บข้อมูล

ปัจจุบัน Samsung ได้ยืนยันการทำงานของชิปต้นแบบ (working die) แล้ว และคาดว่าจะพัฒนาเทคโนโลยี 10a ให้เสร็จสมบูรณ์ภายในปีนี้ โดยมีแผนเข้าสู่การผลิตจำนวนมากในปี 2028 ในอนาคต เทคโนโลยี DRAM จะพัฒนาไปสู่ยุค 3D DRAM ในช่วงปี 2029–2030 เพื่อรองรับความต้องการด้าน AI และ Data Center ที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว ขณะที่คู่แข่งอย่าง Micron ยังชะลอการใช้โครงสร้าง 4F และมุ่งไปสู่ 3D DRAM โดยตรง สะท้อนให้เห็นถึงการแข่งขันที่เข้มข้นในตลาดหน่วยความจำยุคถัดไป

ที่มา: The Elec