AI ดันวงการ RAM เปลี่ยน! Samsung และ SK hynix แข่งสร้าง 3D DRAM

Samsung Electronics และ SK hynix กำลังเดินเกมคนละทางในการพัฒนา DRAM เจเนอเรชันใหม่ เพื่อรองรับยุค AI Infrastructure ที่ต้องการ bandwidth และ density สูงขึ้นอย่างมหาศาล

รายงานล่าสุดระบุว่า Samsung กำลังพิจารณานำเทคโนโลยี GAAFET ซึ่งเคยใช้กับชิปประมวลผล มาปรับใช้กับ DRAM รุ่นใหม่

GAAFET เป็นโครงสร้างทรานซิสเตอร์ที่ให้ gate โอบรอบ channel เพื่อควบคุมกระแสได้แม่นยำขึ้น ส่งผลต่อประสิทธิภาพและการใช้พลังงานที่ดีขึ้น

แต่ DRAM มีความซับซ้อนมากกว่าชิปทั่วไป เพราะต้องมี capacitor สำหรับเก็บข้อมูลอยู่ในเซลล์เดียวกัน

หนึ่งในแนวทางที่ Samsung สนใจ คือการวางวงจรควบคุมไว้ “ใต้ memory array” คล้ายเทคนิคที่ใช้ใน NAND Flash เพื่อเพิ่ม density และลดข้อจำกัดด้านพื้นที่

ในอีกฝั่ง SK hynix กำลังทดลองแนวทาง 4F² ซึ่งใช้การ stack ทรานซิสเตอร์ในแนวตั้ง พร้อมโครงสร้าง gate แบบโอบรอบเช่นกัน

เป้าหมายของทั้งสองบริษัทคือสร้าง “3D DRAM” ที่สามารถก้าวข้ามข้อจำกัดของ DRAM แบบ 2D เดิม ซึ่งเริ่มตันเมื่อขนาดการผลิตต่ำกว่า 10nm

สงคราม AI รอบนี้ไม่ได้แข่งแค่ GPU หรือ AI Accelerator อีกต่อไป

เพราะ HBM และ DRAM กำลังกลายเป็น “คอขวดสำคัญ” ของระบบ AI ขนาดใหญ่

ใครสร้าง memory รุ่นใหม่ที่เร็วกว่า ประหยัดพลังงานกว่า และผลิตได้ก่อน มีโอกาสขึ้นเป็นผู้นำตลาด AI Infrastructure รอบถัดไปทันที

ที่มา: Wccftech