พบชิปแรม DDR5 "A-Die" รุ่นที่สองขนาด 3 GB ของ SK Hynix ที่มีสเปกความเร็ว 7200 MT/s คาดเตรียมใช้งานกับซีพียู Intel Panther Lake และ Arrow Lake Refresh ที่รองรับ DDR5-7200 ที่กลังจะเปิดตัวในอนาคต
วันนี้ก็มีข่าวจากทาง SK Hynix กับการพบข้อมูลชิปหน่วยความจำ SK Hynix DDR5 รุ่นใหม่ได้ปรากฏขึ้นทางออนไลน์ โดยมีรายงานว่าเป็นการเปิดตัวชิปไอซี A-die รุ่นที่สอง ขนาด 3 GB จากทางเควิน วู จาก Team Group ได้นำชิปนี้ไปแสดงบนเฟซบุ๊กเป็นครั้งแรก ชิปนี้มีเครื่องหมาย X021 และรหัสชิ้นส่วน "AKBD" ข้อมูลจาก @unikoshardware ได้ข้อมูลระบุว่า ฉลาก X021 ระบุว่าเป็นรุ่นต่อยอดจาก M-die ขนาด 3 GB ที่ใช้ในโมดูล DDR5 รุ่นแรกๆ จากรูปแบบการจัดกลุ่มภายในของ SK Hynix รหัส "KB" ใน AKBD น่าจะสอดคล้องกับความเร็วมาตรฐาน JEDEC ที่ 7200 MT/s หลังจากที่บริษัทได้พัฒนาจาก "EB" (4800 MT/s) ไปจนถึง "HB" (6400 MT/s) การจัดกลุ่มใหม่นี้ชี้ให้เห็นว่า SK Hynix กำลังเตรียมไอซี DDR5 รุ่นใหม่ที่เร็วขึ้นสำหรับแพลตฟอร์ม Intel รุ่นต่อไป โดยคาดว่า Panther Lake และ Arrow Lake Refresh จะรองรับ DDR5-7200 ได้
ตัวอย่างที่แสดงมีรายงานว่าใช้ PCB แบบ 8 ชั้น ซึ่งอาจจำกัดเฮดรูมสำหรับการโอเวอร์คล็อกแบบสุดขั้วที่ความเร็วเกิน 8,000 MT/s เพื่อใช้ประโยชน์จากศักยภาพของ A-die ใหม่ได้อย่างเต็มที่ ผู้ผลิตคาดว่าจะเปลี่ยนไปใช้ PCB แบบ 10 หรือ 12 ชั้นเพื่อความสมบูรณ์ของสัญญาณที่ดีขึ้น แม้ว่า SK Hynix จะยังไม่ได้เปิดตัวชิ้นส่วนนี้อย่างเป็นทางการ แต่การปรากฏตัวครั้งแรกของ A-die AKBD ขนาด 3 GB นี้บ่งชี้ว่าการผลิตอาจเริ่มต้นขึ้นแล้ว เพื่อเสริมข้อมูลเบื้องหลัง Samsung เคยครองความยิ่งใหญ่ในยุค DDR4 โดยโมดูลหน่วยความจำระดับไฮเอนด์มักจะใช้ชิป B-die ที่ Samsung คัดสรรมาเอง อย่างไรก็ตาม สิ่งต่างๆ ได้เปลี่ยนแปลงไปในโลกของ DDR5 โดย SK Hynix เป็นผู้นำด้วยชิป A-die และ M-die ที่ดึงดูดความสนใจทั้งหมด
