TSMC เตรียมพิจารณาผลิต 3D DRAM ตามคำขอ NVIDIA หวังเพิ่มกำลังการผลิตหน่วยความจำรองรับตลาด AI
3D DRAM เทคโนโลยีหน่วยความจำแห่งอนาคต ปัจจุบันตลาด DRAM ส่วนใหญ่ยังอยู่ภายใต้การผลิตของผู้ผลิตรายใหญ่สามราย ได้แก่ Samsung, SK hynix และ Micron ซึ่งต่างกำลังพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นใหม่เพื่อรองรับการเติบโตของ AI หนึ่งในแนวทางที่กำลังได้รับความสนใจคือ 3D DRAM ซึ่งเป็นการพัฒนาโครงสร้างหน่วยความจำในรูปแบบสามมิติ โดยมีเป้าหมายเพิ่มความหนาแน่นและขยายขีดความสามารถในการผลิตให้มากขึ้น รายงานระบุว่าแนวทาง 3D DRAM ถูกมองว่าเป็นทางเลือกสำคัญสำหรับการพัฒนาหน่วยความจำในอนาคต โดยมีเป้าหมายก้าวข้ามข้อจำกัดของเทคโนโลยี DRAM แบบเดิม รวมถึงขีดความสามารถที่เทคโนโลยี HBM ในปัจจุบันรองรับได้ Micron ก็เดินหน้าพัฒนาแนวทาง 3D DRAM อีกหนึ่งความเคลื่อนไหวที่น่าสนใจคือ Micron ซึ่งมีประสบการณ์ด้านการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำมาอย่างยาวนาน โดยรายงานระบุว่า Micron ตัดสินใจไม่นำเทคโนโลยี 4F² DRAM ออกสู่ตลาด แม้บริษัทจะเคยระบุว่ามีส่วนในการคิดค้นโครงสร้างเซลล์ดังกล่าวและศึกษาวิจัยมานานประมาณ 20 ปี แต่บริษัทเลือกมุ่งไปสู่แนวทางการพัฒนา DRAM แบบ 3D แทน ซึ่งสะท้อนให้เห็นว่าผู้ผลิตหน่วยความจำเริ่มมองหาเทคโนโลยีใหม่เพื่อรองรับความต้องการในอนาคต
NVIDIA ต้องการหน่วยความจำมากขึ้น TSMC อาจเข้ามาเป็นผู้เล่นรายใหม่
สิ่งที่น่าจับตามองคือ NVIDIA ซึ่งเป็นหนึ่งในบริษัทที่ต้องการหน่วยความจำประสิทธิภาพสูงสำหรับระบบ AI อย่างต่อเนื่อง อาจเป็นแรงผลักดันสำคัญที่ทำให้ TSMC เริ่มพิจารณาเข้าสู่ตลาด 3D DRAM หากแผนดังกล่าวเกิดขึ้นจริง จะถือเป็นการขยายบทบาทครั้งสำคัญของ TSMC จากผู้ผลิตชิปประมวลผลและชิปสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ไปสู่เทคโนโลยีการผลิตหน่วยความจำโดยตรง อย่างไรก็ตาม ขณะนี้ยังเป็นเพียงรายงานเกี่ยวกับแผนการพิจารณา ยังไม่มีการยืนยันอย่างเป็นทางการจาก TSMC เกี่ยวกับกำหนดการผลิตหรือรายละเอียดทางเทคนิค การแข่งขันในตลาดหน่วยความจำจึงน่าจับตามองอย่างมาก เพราะความต้องการ AI กำลังผลักดันให้ผู้ผลิตทั่วโลกต้องเร่งพัฒนาเทคโนโลยีใหม่ และ 3D DRAM อาจกลายเป็นอีกหนึ่งก้าวสำคัญของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ในอนาคต ที่มา: The Information
