CXMT เตรียมบุกตลาด DRAM ปี 2028 จับตากำลังผลิตจีน ขณะที่ TSMC พัฒนาแนวคิด BEOL Memory

Charles Kao ผู้ได้รับการยกย่องว่าเป็นบิดาแห่งอุตสาหกรรม DRAM ของไต้หวัน มองว่า CXMT ผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ของจีน อาจมีสินค้าเข้าสู่ตลาดจำนวนมากภายในปี 2028 หลังเร่งขยายกำลังการผลิตและพัฒนาเทคโนโลยี DRAM รุ่นใหม่

รายงานระบุว่า CXMT มีแผนขยายกำลังผลิตไปสู่ระดับประมาณ 600,000 เวเฟอร์ต่อเดือน ซึ่งอาจส่งผลต่อสมดุลอุปสงค์และอุปทานของตลาด DRAM ในอีกสองปีข้างหน้า

CXMT เร่งพัฒนาเทคโนโลยี 4F²

CXMT กำลังผลักดันสถาปัตยกรรมเซลล์หน่วยความจำแบบ 4F² ซึ่งออกแบบให้ทรานซิสเตอร์และตัวเก็บประจุจัดวางในแนวตั้ง ช่วยลดพื้นที่ของเซลล์หน่วยความจำ และเพิ่มความหนาแน่นในการผลิต

อย่างไรก็ตาม Charles Kao ยังตั้งข้อสงสัยเกี่ยวกับความท้าทายด้านโครงสร้างตัวเก็บประจุและปัญหากระแสไฟฟ้ารั่วของเทคโนโลยีดังกล่าว

TSMC กับแนวคิด BEOL Memory

อีกด้านหนึ่ง Charles Kao มองว่า TSMC ไม่สามารถนำความเชี่ยวชาญด้านกระบวนการผลิตชิป Logic มาใช้ผลิต 3D DRAM ได้โดยตรง เนื่องจากเทคโนโลยีการผลิตหน่วยความจำมีความซับซ้อนและต้องอาศัยความเชี่ยวชาญเฉพาะทาง

แต่ผู้เชี่ยวชาญอีกกลุ่มมองว่า TSMC ยังมีโอกาสพัฒนา BEOL Memory โดยใช้โครงสร้าง 1T1C และวัสดุ Amorphous Oxide Semiconductor เพื่อผสานหน่วยความจำเข้าไปในชั้นเชื่อมต่อของชิป ช่วยเพิ่มความจุหน่วยความจำโดยไม่ต้องใช้พื้นที่บน Die มากเท่า SRAM แบบเดิม

ตลาดหน่วยความจำต้องจับตาถึงปี 2028

หาก CXMT สามารถเพิ่มกำลังผลิตได้ตามเป้าหมาย การเข้าสู่ตลาดของหน่วยความจำจีนจำนวนมากอาจเปลี่ยนการแข่งขันในอุตสาหกรรม DRAM ขณะที่ความต้องการชิป AI จาก Data Center ยังคงเติบโตอย่างต่อเนื่อง

ที่มา:  DigiTimes