CXMT ยืนยัน G5 DRAM เข้าสู่การผลิตจำนวนมาก เพิ่ม Gross Dies ต่อเวเฟอร์ 50%
CXMT ยืนยันว่าแพลตฟอร์ม DRAM รุ่นที่ 5 หรือ G5 ได้เข้าสู่การผลิตจำนวนมากแล้ว พร้อมเปิดตัวผลิตภัณฑ์ LPDDR5X ความจุ 24Gb รุ่นใหม่ 2 รุ่น
ข้อมูลดังกล่าวถูกเปิดเผยภายในงาน 2026 World Manufacturing Convention ที่เมืองเหอเฝย์ ประเทศจีน โดย G5 ถือเป็นแพลตฟอร์มล่าสุดของ CXMT สำหรับเพิ่มความสามารถในการผลิต DRAM
ตัวเลขสำคัญของ G5 คือการเพิ่มจำนวน Gross Dies ต่อเวเฟอร์ประมาณ 50% เมื่อเทียบกับแพลตฟอร์มรุ่นก่อน โดยเป็นการคำนวณบนพื้นฐานเทียบเท่า 8Gb
อย่างไรก็ตาม Gross Die คือจำนวนชิปที่มีศักยภาพในการตัดออกจากเวเฟอร์ก่อนเข้าสู่กระบวนการคัดกรองชิปเสีย ดังนั้นตัวเลข 50% ไม่ใช่การเพิ่ม Manufacturing Yield 50% และ CXMT ยังไม่ได้เปิดเผยตัวเลข Yield อย่างเป็นทางการ
ในด้านกระบวนการผลิต G5 ใช้เทคนิค Self-Aligned Quadruple Patterning ซึ่งช่วยลด Half-Pitch ของ Active Area ใน Memory Array ลงเหลือ 11.95nm
CXMT ยังระบุว่ากระบวนการดังกล่าวสามารถทำอัตราส่วน Capacitor ได้สูงถึง 45:1 และลดความสูงของ Core Cell Array เหลือ 6,762nm ด้วยกระบวนการ High-k Metal Gate
การเข้าสู่ Mass Production ของ G5 ถือเป็นพัฒนาการสำคัญของ CXMT ในตลาด DRAM และเป็นส่วนหนึ่งของความพยายามเพิ่มขีดความสามารถด้านเทคโนโลยีเพื่อแข่งขันกับผู้ผลิตรายใหญ่ของโลกอย่าง Samsung, SK hynix และ Micron
ทั้งนี้ รายละเอียดเกี่ยวกับอัตรา Yield จริง จำนวนกำลังการผลิต และสัดส่วนชิปที่สามารถใช้งานได้จากกระบวนการผลิต G5 ยังไม่ได้ถูกเปิดเผยในข้อมูลดังกล่าว
ที่มา: Wccftech / CXMT
