CXMT เตรียมเริ่มผลิต HBM3E จำนวนมากภายในสิ้นปี 2026 ท่ามกลางความท้าทายด้านอัตราผลผลิต

CXMT เตรียมเริ่มผลิต HBM3E จำนวนมากภายในสิ้นปี 2026 ท่ามกลางความท้าทายด้านอัตราผลผลิต

CXMT ผู้ผลิตหน่วยความจำจากจีน มีรายงานว่าเตรียมเริ่มผลิตหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง HBM3E ในระดับ Mass Production ภายในสิ้นปี 2026 หลังเริ่มกระบวนการผลิตทดลองตั้งแต่เดือนสิงหาคมที่ผ่านมา ตามรายงานของ Reuters ข้อมูลมาตรฐาน HBM3E จาก JEDEC ระบุว่า หน่วยความจำรุ่นนี้ใช้บัสกว้าง 1,024-bit รองรับความเร็วตั้งแต่ 9.2–12.4 Gbps ต่อพิน และมีแบนด์วิดท์รวมประมาณ 1.2 TB/s โดยความจุอยู่ที่ 24GB สำหรับการซ้อนชิป 8 ชั้น และสูงสุด 36GB สำหรับการซ้อน 12 ชั้น

ความท้าทายสำคัญของ CXMT คือเทคโนโลยี Through-Silicon Via (TSV) ซึ่งใช้เชื่อมต่อชิปหน่วยความจำที่ซ้อนกัน รายงานระบุว่าอัตราผลผลิตในกระบวนการผลิตขั้นต้นอยู่ที่ประมาณ 30% ขณะที่กระบวนการด้านหลังอาจเพิ่มผลกระทบต่ออัตราผลผลิต ทำให้ตัวเลขโดยรวมยังอยู่ในระดับต่ำ แหล่งข่าวระบุว่า CXMT กำลังพยายามลดจำนวน TSV ต่อชั้นจากประมาณ 3,000 จุด เพื่อให้สามารถผลิตชิปแบบซ้อน 8 ชั้นได้อย่างมีประสิทธิภาพมากขึ้น ขณะที่การเปลี่ยนไปใช้โครงสร้างซ้อน 12 ชั้นยังมีข้อจำกัดด้านวิศวกรรม

นอกจากนี้ CXMT ได้เริ่มส่ง HBM3E ให้ลูกค้าสองรูปแบบ ได้แก่ รุ่นมาตรฐานและรุ่นปรับปรุงที่มุ่งเพิ่มอัตราผลผลิต โดยรายงานระบุว่าอัตราผลผลิตของผลิตภัณฑ์ที่ส่งให้ลูกค้ายังอยู่ที่ประมาณ 20% แหล่งข่าวใกล้ชิดกับ Reuters ประเมินว่า ประสิทธิภาพ HBM3E ของ CXMT อาจใกล้เคียงกับ HBM3 รุ่นก่อนหน้าของ SK hynix มากกว่า HBM3E ของบริษัทดังกล่าว อย่างไรก็ตาม CXMT ยังคงเดินหน้าปรับปรุงกระบวนการผลิตเพื่อตอบสนองความต้องการหน่วยความจำสำหรับระบบ AI

ที่มา: Reuters