ราคา DRAM พุ่ง ต้นทุน 1b DRAM ต่อพื้นที่สูงกว่า TSMC N2 ถึง 54%

ราคา DRAM พุ่ง ต้นทุน 1b DRAM ต่อพื้นที่สูงกว่า TSMC N2 ถึง 54%

ข้อมูลจาก Kernel Insight ที่ ZDNet นำเสนอ ระบุว่า ราคาหน่วยความจำ DRAM ในปัจจุบันอยู่ในระดับสูงจนเมื่อคำนวณต้นทุนต่อพื้นที่แล้ว 1b DRAM มีมูลค่าสูงกว่าเวเฟอร์ TSMC N2

ข้อมูลดังกล่าวระบุว่า 1b DRAM มีความหนาแน่นประมาณ 0.436Gb ต่อตารางมิลลิเมตร และเมื่ออ้างอิงราคา 1.50 ดอลลาร์ต่อ Gb จะคิดเป็นประมาณ 0.654 ดอลลาร์ต่อตารางมิลลิเมตร

ขณะที่เวเฟอร์ TSMC N2 ขนาด 300 มม. มีราคาอยู่ที่ประมาณ 30,000 ดอลลาร์ หรือคิดเป็นประมาณ 0.424 ดอลลาร์ต่อตารางมิลลิเมตร

เมื่อเปรียบเทียบกัน 1b DRAM จึงมีมูลค่าต่อพื้นที่สูงกว่า N2 ประมาณ 54%

สำหรับ TSMC N3 เวเฟอร์ขนาด 300 มม. มีราคาอยู่ที่ประมาณ 20,000 ดอลลาร์ หรือประมาณ 0.283 ดอลลาร์ต่อตารางมิลลิเมตร

ข้อมูลจาก DRAM Exchange ณ วันที่ 21 กันยายน ยังระบุว่า DDR5 eTT ขนาด 16Gb มีราคา 24.80 ดอลลาร์ หรือประมาณ 1.55 ดอลลาร์ต่อ Gb ซึ่งใกล้เคียงกับราคาอ้างอิง 1.50 ดอลลาร์ต่อ Gb ที่ใช้ในการคำนวณ

แม้แต่ DRAM รุ่นเก่าอย่าง 1z ซึ่งมีความหนาแน่นประมาณ 0.273Gb ต่อตารางมิลลิเมตร ก็มีมูลค่าประมาณ 0.410 ดอลลาร์ต่อตารางมิลลิเมตร ใกล้เคียงกับ N2 เช่นกัน

บทวิเคราะห์ชี้ว่า ความแตกต่างดังกล่าวสะท้อนภาวะตึงตัวของตลาด DRAM ขณะที่ความต้องการหน่วยความจำจากระบบ AI ยังคงเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง

นอกจากนี้ Samsung ยังมีแผนใช้กระบวนการ B1b ซึ่งเป็น DRAM ระดับต่ำกว่า 10nm โดยแยกการผลิต Memory Cell และวงจร Peripheral ออกจากกัน ก่อนนำมาประกอบด้วยเทคโนโลยี Wafer-to-Wafer Hybrid Bonding ซึ่งมีต้นทุนสูง และอาจส่งผลต่อราคาของ DRAM รุ่นถัดไป

ทั้งนี้ ตัวเลขดังกล่าวเป็นการเปรียบเทียบ มูลค่าต่อพื้นที่จากราคาอ้างอิง ไม่ได้หมายความว่าต้นทุนการผลิตจริงของ DRAM และ Logic Wafer ของ TSMC มีโครงสร้างเหมือนกัน

ที่มา: Kernel Insight / ZDNet / DRAM Exchange