Samsung มาแรงวางแผนเปิดตัวแรมแบบ 8-stacked TSV DDR5 รุ่นใหม่บัส DDR5-7200 ความจุมากถึง 512GB กินไฟต่ำกว่า 1.1v ในสิ้นปีนี้

Samsung มาแรงวางแผนเปิดตัวแรมแบบ 8-stacked TSV DDR5 รุ่นใหม่บัส DDR5-7200 ความจุมากถึง 512GB กินไฟต่ำกว่า 1.1v ในสิ้นปีนี้

วันนี้ก็มีข่าวจากฝั่งแรมกับผู้ผลิตยักษ์ใหญ่อย่างซัมซุง Samsung มาฝากกันครับกับการประกาศแผนการเปิดตัวแรมเทคโนโลยี 8-stacked TSV DDR5 รุ่นใหม่บัส DDR5-7200 ความจุมากถึง 512GB กินไฟเพียง 1.1v ภายในสิ้นปีนี้ โดยเทคโนโลยีใหม่แบบ 8-stack DDR5 จะเปิดใช้งานที่ความจุสูงสุด 512GB ต่อโมดูล ซึ่งเป็นการเพิ่มหน่วยความจำอย่างมากเมื่อเทียบกับหน่วยความจำ DDR4 ซึ่งส่วนใหญ่มีความจุสูงสุด 32 และ 64GB ที่เราได้ใช้งานกันมา โดยสูงสุดที่มีสำหรับ DDR4 ก็คือความจุ 128GB หรือ 256GB ที่วางจำหน่ายกัน ทาง Samsung คาดว่าหน่วยความจำ DDR5 จะเพิ่มประสิทธิภาพได้มากกว่า DDR4 มากถึง 85%, แบนด์วิดธ์สูงสุด 7.2 Gbp/s และความสามารถเพิ่มขึ้นเป็นสองเท่าที่ความจุมากถึง 512GB และจะมีแรงดันไฟฟ้าต่ำกว่า 1.1V กันเลยทีเดียว โดยจะแรมแบบ 512GB รุ่นใหม่คาดว่าจะเปิดตัวให้ทันในสิ้นปีนี้ครับ

ที่มา https://videocardz.com/