SK hynix โชว์แรมหน่วยความจำ AI รุ่นใหม่ที่พร้อมใช้งานในอนาคตที่งาน NVIDIA GTC 2024
SK hynix โชว์แรมหน่วยความจำ AI รุ่นใหม่ที่พร้อมใช้งานในอนาคตที่งาน NVIDIA GTC 2024
วันนี้ก็มีข่าวจากฝั่ง SK hynix ออกาให้ได้ชมกันครับกับข่าวจากฝั่งงาน GTC 2024 ได้จัดบูธและโชว์แรมหน่วยความจำ AI รุ่นใหม่ที่พร้อมใช้งานในอนาคตที่งาน NVIDIA GTC 2024 มากมายหลากหลายประเภทที่เตรียมพร้อมใช้งานในอนาคตกับโซลูชั่นต่างๆ อย่างคลอบคลุม โดยทาง SK hynix จัดแสดงผลิตภัณฑ์บางส่วนเหล่านี้ ซึ่งรวมถึง HBM3E 12 เลเยอร์ และ Compute Express Link (CXL)1 ภายใต้สโลแกน "Memory, The Power of AI" HBM3E ซึ่งเป็น HBM2 รุ่นที่ห้า เป็น DRAM ที่มีสเปคสูงสุดสำหรับแอปพลิเคชัน AI ในตลาด โดยนำเสนอความจุสูงสุดในอุตสาหกรรมที่ 36 กิกะไบต์ (GB) ความเร็วในการประมวลผล 1.18 เทราไบต์ (TB) ต่อวินาที และการกระจายความร้อนที่ยอดเยี่ยม ทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับระบบ AI เมื่อวันที่ 19 มีนาคม SK hynix ประกาศว่าได้กลายเป็นบริษัทแรกในอุตสาหกรรมที่ผลิต HBM3E ในปริมาณมากที่แสดงร่วมกับ HBM3E คือ CXL ซึ่งเป็นอินเทอร์เฟซมาตรฐานที่เพิ่มประสิทธิภาพในการใช้ CPU, GPU, ตัวเร่งความเร็ว และหน่วยความจำ CXL มีชื่อเสียงในด้านความสามารถในการขยายหน่วยความจำและปรับปรุงประสิทธิภาพของแอปพลิเคชัน AI จึงถูกกำหนดให้เข้ามามีบทบาทสำคัญในยุค AI ควบคู่ไปกับ HBM3E ผู้เข้าชมบูธของ SK hynix ยังสามารถชมผลิตภัณฑ์ที่ไม่เคยเห็นมาก่อน รวมถึง GDDR7 DRAM เจเนอเรชั่นถัดไปที่เชี่ยวชาญด้านการประมวลผลวิดีโอและกราฟิก เมื่อเปรียบเทียบกับ GDDR6 รุ่นก่อน ผลิตภัณฑ์ GDDR3 ล่าสุดมีแบนด์วิธสูงสุดเป็นสองเท่า (128 GB ต่อวินาที) ประสิทธิภาพการใช้พลังงานดีขึ้น 40% และภาพที่ได้รับการปรับปรุงเนื่องจากความหนาแน่นของหน่วยความจำที่ขยาย ตั้งค่าเพื่อใช้ในกราฟิกการ์ดและ GPU GDDR7 จะเป็นส่วนสำคัญสำหรับ AI และเทคโนโลยีขั้นสูงซึ่งต้องการการประมวลผลข้อมูลที่รวดเร็วและความจุสูง
SK hynix ยังเปิดเผยผลิตภัณฑ์สำหรับผู้บริโภคใหม่ที่ใช้ PCB01 ไดรฟ์โซลิดสเตต Gen 5 (SSD) ชั้นนำของอุตสาหกรรม SK hynix วางแผนที่จะเสร็จสิ้นการพัฒนา PCB01 ในช่วงครึ่งแรกของปี 2567 และเปิดตัวสองเวอร์ชันซึ่งกำหนดเป้าหมายไปที่บริษัทเทคโนโลยีขนาดใหญ่และผู้บริโภคทั่วไปภายในสิ้นปีนี้
ที่มา techpowerup.com
