SK hynix โชว์ iHBM เทคโนโลยีใหม่ ลด Thermal Resistance ของ HBM ถึง 30%

SK hynix โชว์ iHBM เทคโนโลยีใหม่ ลด Thermal Resistance ของ HBM ถึง 30%

SK hynix ประกาศเปิดตัวเทคโนโลยีใหม่ชื่อ “iHBM” ซึ่งเป็นแนวทางการออกแบบระบบระบายความร้อนสำหรับหน่วยความจำ High Bandwidth Memory (HBM) รุ่นถัดไป โดยมุ่งเน้นการแก้ปัญหาความร้อนสะสมในชิป AI ประสิทธิภาพสูง

หัวใจสำคัญของ iHBM คือการฝังชุดระบายความร้อนภายในแพ็กเกจที่เรียกว่า Integrated Cooling Elements (ICE) ซึ่งผลิตจากวัสดุซิลิคอนที่ไม่นำไฟฟ้า และเพิ่มเส้นทางการถ่ายเทความร้อนภายในชิปโดยตรง

SK hynix ระบุว่าเทคโนโลยีดังกล่าวจะเข้าไปจัดการบริเวณ D2D PHY ซึ่งเป็นจุดเชื่อมต่อระหว่าง HBM Base Die กับ AI Accelerator และเป็นหนึ่งในพื้นที่ที่มีความร้อนสะสมสูงที่สุดในระบบ ปัจจุบัน HBM ทั่วไปจะระบายความร้อนผ่าน Core Die เป็นหลัก แต่ iHBM เปลี่ยนแนวคิดใหม่ด้วยการวางระบบระบายความร้อนไว้ใกล้จุดกำเนิดความร้อนโดยตรง

บริษัทอ้างว่า iHBM สามารถลด Thermal Resistance ได้สูงสุดถึง 30% พร้อมช่วยให้ระบบทำงานได้เสถียรขึ้นในสภาวะอุณหภูมิและแรงดันสูง นอกจากนี้ iHBM ยังใช้กระบวนการ Wafer-Level Packaging บนพื้นฐาน MR-MUF ทำให้สามารถนำไปใช้งานร่วมกับ System-in-Package เดิมได้โดยไม่ต้องปรับดีไซน์มากนัก SK hynix ยืนยันว่าเทคโนโลยีดังกล่าวถูกเตรียมไว้สำหรับหน่วยความจำ HBM รุ่นใหม่ รวมถึง HBM5 ในอนาคต แต่ยังไม่มีการเปิดเผยวันวางจำหน่ายหรือผลิตภัณฑ์ที่ใช้งานจริงในตอนนี้

ที่มา: SK hynix