SK hynix อาจจับมือ Intel ผลิตชิปหน่วยความจำในสหรัฐฯ เป็นครั้งแรก
SK hynix และ Intel กำลังหารือความเป็นไปได้ในการเริ่มต้นสายการผลิต DRAM ในสหรัฐฯ ตามรายงานของ Reuters
หนึ่งในแนวทางที่กำลังพิจารณาคือการเช่าพื้นที่ภายในโรงงานของ Intel ที่อยู่ระหว่างการก่อสร้างในรัฐโอไฮโอ หรือจัดตั้งบริษัทร่วมทุนที่มี Intel, บริษัท AI รายใหญ่ และผู้ผลิตชิปแบบ Fabless เข้าร่วม
หากข้อตกลงเกิดขึ้น ผู้ร่วมทุนมีแนวโน้มที่จะเป็นผู้ใช้งานชิปหน่วยความจำที่ผลิตได้ทั้งหมดในช่วงหลายปีแรก ซึ่งอาจช่วยสร้างความมั่นคงด้านอุปสงค์ให้กับโครงการ
ขณะนี้ยังไม่มีการเปิดเผยว่า SK hynix จะผลิตหน่วยความจำประเภทใดในโรงงานโอไฮโอ แต่เป้าหมายที่ถูกกล่าวถึงครอบคลุมทั้ง DRAM, HBM และ NAND Flash
สำหรับ Intel การร่วมมือกับ SK hynix ซึ่งเป็นหนึ่งในผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ของโลก อาจเป็นอีกแนวทางในการเพิ่มการใช้ประโยชน์จากโรงงาน Ohio Fab ที่ประสบความล่าช้า
ที่มา: Reuters
