SK hynix คาดปี 2027 อาจเป็นปีที่อุตสาหกรรมหน่วยความจำเผชิญวิกฤติด้านซัพพลายรุนแรงที่สุด
นาย Kwak Noh-jung ประธานเจ้าหน้าที่บริหารของ SK hynix เปิดเผยว่า ปี 2027 อาจเป็นปีที่อุตสาหกรรมหน่วยความจำเผชิญข้อจำกัดด้านอุปทานรุนแรงที่สุด เนื่องจากความต้องการชิป HBM (High Bandwidth Memory) สำหรับงาน AI และศูนย์ข้อมูลยังคงเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง
รายงานระบุว่า แม้กำลังการผลิตเวเฟอร์ทั่วโลกจะเพิ่มขึ้นประมาณ 12% ในช่วงปี 2027–2028 แต่กว่าครึ่งของกำลังการผลิตดังกล่าวจะถูกใช้สำหรับ HBM ส่งผลให้กำลังการผลิต DRAM ทั่วไปเติบโตเพียง 15% ต่อปี ขณะที่ความต้องการของตลาดคาดว่าจะเพิ่มขึ้นถึง 22%
Samsung มีแผนส่งมอบ HBM ราว 20 พันล้าน GB ในปี 2027 ส่วน SK hynix ตั้งเป้าส่งมอบ 24 พันล้าน GB พร้อมเดินหน้าขยายโรงงานผลิตแห่งใหม่เพื่อรองรับความต้องการในอนาคต อย่างไรก็ตาม กำลังการผลิตใหม่จะทยอยเปิดใช้งานตั้งแต่ปี 2027–2029 ทำให้ปัญหาซัพพลายในระยะสั้นยังคงมีอยู่
แม้ผู้ผลิตจีนอย่าง CXMT จะมีแผนพัฒนา DDR6 เพื่อเพิ่มกำลังผลิต แต่ยังไม่มีความชัดเจนทั้งด้านกำหนดการและความสามารถในการส่งออกนอกประเทศจีน
หากแนวโน้มดังกล่าวเกิดขึ้นจริง ผู้บริโภคอาจยังต้องเผชิญกับ ราคาหน่วยความจำ DRAM, SSD รวมถึงอุปกรณ์ไอทีที่ใช้ชิปหน่วยความจำในระดับสูง ต่อไปอีกหลายปี โดยเฉพาะในยุคที่ AI กลายเป็นแรงขับเคลื่อนหลักของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์
ที่มา: Business Times
