UBS ชี้จีนยังตามหลัง ASML ด้าน EUV ราว 10 ปี หลังพัฒนาการยังอยู่ใกล้ระดับปี 2004

UBS ชี้จีนยังตามหลัง ASML ด้าน EUV ราว 10 ปี หลังพัฒนาการยังอยู่ใกล้ระดับปี 2004

UBS Investment Bank ประเมินว่า การพัฒนาเทคโนโลยี Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography ของจีนในปัจจุบันยังอยู่ในระดับใกล้เคียงกับช่วงที่ ASML กำลังพัฒนาเทคโนโลยีดังกล่าวในปี 2004

ในช่วงปี 2003–2004 ASML อยู่ระหว่างการทดสอบระบบ EUV ทั้งด้านการทำงานและระบบสุญญากาศ เพื่อเตรียมลดความเสี่ยงในการผลิตสำหรับกระบวนการระดับ 45 นาโนเมตรและเทคโนโลยีที่ก้าวหน้ากว่านั้น ขณะเดียวกันก็มีการพัฒนากระจกและระบบที่สามารถทำงานกับความยาวคลื่น 13.5 นาโนเมตร

ปัจจุบัน ASML ก้าวไปถึงการพัฒนา High-NA EUV ซึ่งเพิ่ม Numerical Aperture ของระบบ Optical เพื่อเพิ่มความสามารถในการโฟกัสและความละเอียดของการผลิตชิป

UBS ระบุว่าการประเมินช่องว่างดังกล่าวอ้างอิงจากการวิเคราะห์สิทธิบัตร โดยมองว่า Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE) และ Shanghai Yuliangsheng Technology เป็นบริษัทจีนที่ควรจับตามองในด้านอุปกรณ์การผลิตเซมิคอนดักเตอร์

อย่างไรก็ตาม UBS มองว่าจีนมีโอกาสไล่ตามเทคโนโลยี Immersion DUV Lithography ได้เร็วกว่ามาก โดยประเมินกรอบเวลาประมาณ 2–5 ปี

เทคโนโลยี Immersion Lithography ใช้น้ำบริสุทธิ์สูงเป็นตัวกลางในกระบวนการฉายแสง เพื่อช่วยเพิ่มความละเอียดและ Depth of Focus ของการผลิต

แม้จีนจะสามารถพัฒนา DUV ได้ใกล้เคียงมากขึ้น แต่ UBS ระบุว่ายังมีความแตกต่างในด้าน Yield และ Throughput ซึ่งเป็นปัจจัยสำคัญของการผลิตชิปในระดับอุตสาหกรรม ทำให้จีนยังมีแนวโน้มต้องพึ่งพา ASML

UBS ยังประเมินในกรณีที่มีข้อจำกัดเพิ่มเติมต่อการส่งออกเครื่อง DUV ไปยังจีน และคาดว่าจีนจะมีสัดส่วนประมาณ 15–20% ของยอดขาย ASML ในปี 2027

ทั้งนี้ ตัวเลขระยะเวลาประมาณ 10 ปีเป็น การประเมินของ UBS จากข้อมูลสิทธิบัตรและระดับความก้าวหน้าทางเทคโนโลยี ไม่ใช่กำหนดการพัฒนาอย่างเป็นทางการของจีนหรือ ASML

ที่มา: UBS