Intel ปลดล็อกขีดจำกัดใหม่ ชิปบางกว่าเส้นผมหลายเท่า

Intel Foundry สร้างความก้าวหน้าครั้งสำคัญในวงการเซมิคอนดักเตอร์ ด้วยการพัฒนาชิปแบบ GaN (Gallium Nitride) ที่มีความบางที่สุดในโลก โดยมีความหนาเพียง 19 ไมโครเมตร ซึ่งถือว่าบางมากเมื่อเทียบกับเทคโนโลยีชิปในปัจจุบัน

ชิปดังกล่าวถูกพัฒนาบนเทคโนโลยี GaN-on-silicon ขนาด 300 มม. และสามารถรวมทรานซิสเตอร์ GaN เข้ากับวงจรดิจิทัลแบบซิลิคอนในตัวเดียวได้สำเร็จ ลดความจำเป็นในการใช้ชิปเสริมแบบเดิม

การรวมระบบทั้งหมดไว้ในชิปเดียวช่วยลดการสูญเสียพลังงานจากการส่งสัญญาณ และเพิ่มประสิทธิภาพในการประมวลผลอย่างมีนัยสำคัญ

Intel ระบุว่าเทคโนโลยีใหม่นี้ผ่านการทดสอบด้านความเสถียรแล้ว และมีศักยภาพเพียงพอสำหรับการใช้งานจริงในอนาคต

จุดเด่นของ GaN คือสามารถทำงานที่ความถี่สูงและทนความร้อนได้ดีกว่าซิลิคอน ทำให้เหมาะกับงานที่ต้องการประสิทธิภาพสูง เช่น Data Center, AI และเครือข่ายไร้สาย

ในภาคเครือข่าย GaN ยังรองรับความถี่สูงกว่า 200 GHz ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญของเทคโนโลยี 5G และ 6G

นอกจากนี้ยังสามารถนำไปใช้กับระบบเรดาร์ ดาวเทียม และ Photonics ได้อีกด้วย

การใช้ GaN บนโครงสร้างซิลิคอนยังช่วยให้สามารถผลิตได้บนสายการผลิตเดิม ลดต้นทุนการพัฒนาในระยะยาว

ความก้าวหน้านี้สะท้อนให้เห็นถึงความพยายามของ Intel ในการผลักดันขีดจำกัดของชิปยุคใหม่ ทั้งด้านขนาด ประสิทธิภาพ และพลังงาน

และอาจกลายเป็นหนึ่งในก้าวสำคัญของอุตสาหกรรมชิปในยุค AI และการประมวลผลขั้นสูง

ที่มา: Intel Foundry / IEDM