Intel ดันเทคโนโลยีหน่วยความจำใหม่ “ZAM” ลุยแทน HBM ล่าสุดรัฐบาลญี่ปุ่นผ่าน NEDO อัดงบหนุนเต็มรูปแบบ เร่งพัฒนาให้เร็วขึ้น

Intel เดินหน้าพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำยุคใหม่ “ZAM” (Z-Angle Memory) อย่างจริงจัง หลังได้รับการสนับสนุนจากรัฐบาลญี่ปุ่นผ่านหน่วยงาน NEDO ซึ่งจะเข้ามาช่วยเร่งแผนพัฒนาในช่วง 3.5 ปีข้างหน้า

โครงการ ZAM เป็นความร่วมมือระหว่าง Intel และบริษัท SAIMEMORY ซึ่งเป็นบริษัทในเครือของ SoftBank โดยมีเป้าหมายในการพัฒนาโซลูชันหน่วยความจำใหม่เพื่อแก้ปัญหาคอขวดด้านหน่วยความจำในยุค AI และ HPC ที่กำลังเติบโตอย่างรวดเร็ว

ZAM ถูกออกแบบให้เป็นทางเลือกแทน HBM (High Bandwidth Memory) โดยเน้นจุดเด่นด้านความหนาแน่นสูง แบนด์วิดท์กว้าง และการใช้พลังงานที่ต่ำกว่า ซึ่ง Intel ระบุว่าสามารถลดการใช้พลังงานได้ถึง 40–50%

ในด้านเทคนิค ZAM จะใช้การจัดเรียง DRAM แบบซ้อนหลายชั้น พร้อมเชื่อมต่อผ่านโครงสร้าง “Z-Angle interconnect” และใช้เทคโนโลยี EMIB ในการเชื่อมต่อกับชิปประมวลผลหลัก

อีกหนึ่งจุดเด่นสำคัญคือความจุที่สามารถทำได้สูงถึง 512GB ต่อชิป ซึ่งถือเป็นระดับที่ตอบโจทย์งาน AI ขนาดใหญ่และดาต้าเซ็นเตอร์ยุคใหม่ได้อย่างมีประสิทธิภาพ

การสนับสนุนจาก NEDO ยังช่วยเปิดทางให้ ZAM สามารถเชื่อมโยงกับเครือข่ายพาร์ทเนอร์ด้านเทคโนโลยี การผลิต และซัพพลายเชนทั้งในญี่ปุ่นและระดับสากล เพื่อผลักดันสู่การผลิตเชิงพาณิชย์ในอนาคต

Makoto Ohno ประธาน Intel K.K. ระบุว่า ZAM เป็นผลลัพธ์จากการวิจัยที่ Intel พัฒนามาอย่างยาวนาน และการสนับสนุนครั้งนี้จะช่วยเร่งให้เทคโนโลยีเข้าสู่ตลาดโลกได้เร็วขึ้น

การกลับมาพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำของ Intel ในครั้งนี้ยังถือเป็นการหวนคืนสู่รากฐานเดิม หลังจากบริษัทเคยเป็นผู้นำในตลาดหน่วยความจำ ก่อนจะถูกผู้ผลิตญี่ปุ่นแซงหน้าไปในอดีต

น่าสนใจว่าการร่วมมือกันระหว่าง Intel และญี่ปุ่นในครั้งนี้ อาจกลายเป็นจุดเปลี่ยนสำคัญของอุตสาหกรรมหน่วยความจำโลกในยุค AI

ที่มา: Wccftech / PCWatch