SK hynix เพิ่มกำลังผลิต ไม่ทันแผนที่กำหนดไว้ในปี 2028

รายงานวิเคราะห์ล่าสุดจาก Bank of America ระบุว่า SK hynix อาจสามารถเพิ่มกำลังการผลิตหน่วยความจำได้เพียง ประมาณหนึ่งในหกของแผนเดิมภายในปี 2028 ซึ่งต่ำกว่าที่ตลาดคาดหวังไว้มาก

ข้อมูลดังกล่าวอ้างอิงแหล่งข่าวในอุตสาหกรรมหน่วยความจำของไต้หวัน โดยระบุว่าการก่อสร้างโรงงานผลิตหน่วยความจำแห่งใหม่ในภูมิภาค Gwangju และ Jeolla ของเกาหลีใต้จะใช้เวลานานกว่าที่ประเมินไว้ ทั้งการสร้างฐานราก ห้องคลีนรูม และการติดตั้งเครื่องจักรผลิตชิป อาจต้องใช้เวลากว่า 10 ปีจึงจะเดินเครื่องได้เต็มกำลัง

หากสถานการณ์เป็นไปตามรายงาน จะทำให้เป้าหมายการเพิ่มกำลังผลิตหน่วยความจำของเกาหลีใต้ภายในปี 2030 เป็นเรื่องที่ทำได้ยาก และยังอาจทำให้ภาวะตึงตัวของตลาด DRAM ดำเนินต่อไปอีกหลายปี

นอกจากนี้ รายงานยังถูกจับตาในฐานะข้อมูลที่อาจส่งผลต่อคดีฟ้องร้องแบบกลุ่มในสหรัฐฯ ซึ่งกล่าวหาว่า Samsung, SK hynix และ Micron ร่วมกันลดกำลังการผลิต DRAM รุ่นเดิม เพื่อหันไปผลิต HBM สำหรับตลาด AI ส่งผลให้ราคา DRAM ปรับตัวสูงขึ้น อย่างไรก็ตาม ข้อกล่าวหาดังกล่าวยังอยู่ในกระบวนการพิจารณาของศาลและยังไม่มีคำตัดสิน

ที่มา: Bank of America